Биполярный транзистор

Характеристики биполярных транзисторов

Статическим режимомработы транзистора называется такой режим, при котором отсутствует нагрузка в выходной цепи, а изменение входного тока или напряжения не вызывает изменение выходного напряжения Рис.7.

Рис.7. Схема включения транзистора с ОЭ.

Статические характеристики транзисторов бывают двух видов: входные и выходные. На Рис.8. изображена схема установки для измерения статических характеристик транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером.

Рис.8. Схема

измерений статических

параметров транзистора с ОЭ.

Входная статическая характеристика – это зависимость входного тока IБ от входного напряжения UБЭ при постоянном выходном напряжении UКЭ. Для схемы с общим эмиттером:

IБ = f (UБЭ) при UЭК = const.

Поскольку ветви входной статической характеристики для UКЭ> 0 расположены очень близко друг к другу и практически сливаются в одну, то на практике с достаточной точностью можно пользоваться одной усреднённой характеристикой (Рис.9а). Особенность входной статической характеристики является наличие в нижней части нелинейного участка в районе изгиба U1 (приблизительно 0,2…0,3 В для германиевых транзисторов и 0,3…0,4 В – для кремниевых).

Выходнаястатическая характеристика – это зависимость выходного тока IК от выходного напряжения UКЭ при постоянном входном токе IБ. Для схемы включения с общим эмиттером:

IК = f (UКЭ) при IБ = const.

Из Рис.9б видно, что выходные характеристики представляют собой прямые линии, почти параллельные оси напряжения. Это объясняется тем, что коллекторный переход закрыт независимо от величины напряжения база-коллектор, и ток коллектора определяется только количеством носителей заряда, проходящих из эмиттера через базу в коллектор, т. е. током эмиттера IЭ.

Динамическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором в выходной цепи стоит нагрузочный резистор RК, за счёт которого изменение входного тока или напряжения UВХ будет вызывать изменение выходного напряжения UВЫХ = UКЭ (Рис.10).

— 9 –

Рис.9. Статические характеристики транзистора с ОЭ: а – входные; б – выходные.

Входная динамическая характеристика – это зависимость входного тока IБ от входного напряжения UБЭ при наличии нагрузки. Для схемы с общим эмиттером:

IБ = f (UБЭ)

Поскольку в статическом режиме для UКЭ> 0 мы пользуемся одной усреднённой характеристикой, то входная динамическая характеристика совпадает со входной статической (Рис.11а).

Рис.10.

Схема включения транзистора в динамическом режиме с ОЭ.

Выходнаядинамическая (нагрузочная) характеристика представляет собой зависимость выходного напряжения UКЭ от выходного тока IК при фиксированных значениях входного тока IБ (Рис.11б):

UКЭ = EК – IКRК

Так как это уравнение линейное, то выходная динамическая характеристика представляет собой прямую линию и строится на выходных статических характеристиках по двум точкам, например: А, В на Рис.11б.

Координаты точки А – на оси IK.

Координаты точки В – на оси UКЭ.

Координаты точки Р – соответствуют положению рабочей точки РТ в режиме покоя (при отсутствии сигнала).

— 10 —

Рис.11. Динамические характеристики транзистора с ОЭ: а) – входная; б) – выходная.

Нагрузочная пряма проводится через любые две точки А, В, или Р, координаты которых известны.

В зависимости от состояния p-n переходов транзисторов различают несколько видов его работы – режим отсечки, режим насыщения, предельный и линейный режимы (Рис.11).

Режим отсечки. Это режим, при котором оба его перехода закрыты – транзистор заперт. Ток базы в этом случае равен нулю. Ток коллектора будет равен обратному току IК0, а напряжение UКЭ = EК.

Режим насыщения – это режим, когда оба перехода – и эмиттерный и коллекторный открыты, а в транзисторе происходит свободный переход носителей зарядов. При этом ток базы будет максимальный, ток коллектора будет равен току коллектора насыщения, а напряжение между коллектором и эмиттером стремиться к нулю.

IБ = max; IК ≈ IКН; UКЭ = EК – IКН RН; UКЭ → 0.

Предельные режимы – это режимы, работа в которых ограничена максимально-допустимыми параметрами: IК доп, UКЭдоп, PК доп (Рис.11б) и IБ нас, UБЭдоп(Рис.11а) и связана с перегревом транзистора или выхода его из строя.

Линейный режим – это режим, в котором обеспечивается достаточная линейность характеристик и он может использоваться для активного усиления.

Дата добавления: 2016-07-05; просмотров: 17518;

Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру n-р-n или р-n-р-типа с двумя р-n-переходами (рис. 4). На каждый р-n-переход может быть подано как прямое, так и обратное напряжения (их называют смещением). В зависимости от их сочетания различают разные режимы работы транзистора.

Рис. 4. n-р-n -транзистор

Рассмотрим кратко работу n-р-n-транзистора. На границе раздела полупроводников с n (электронной)- и р (дырочной)-типами проводимостей за счет диффузии возникает область разноименных объемных зарядов. Она образована ионизированными атомами акцепторной и донорной примесей и обеднена подвижными носителями заряда: электронами и дырками. Поле контактной разности потенциалов, образующееся между зарядами, представляет собой потенциальный барьер, препятствующий диффузионному переходу носителей.

Если на эмиттерный переход подано прямое смещение (как показано на рис. 4), то потенциальный барьер уменьшается, и из эмиттера в базу будут инжектироваться электроны. Концентрация дырок в базе обычно существенно ниже концентрации электронов в эмиттере, и инжекцией дырок в эмиттер можно пренебречь. Поэтому ток эмиттера i3 образуется электронной составляющей потока носителей. Инжектированные из эмиттера электроны являются в базе неосновными носителями зарядов и будут, главным образом за счет диффузии, двигаться сквозь базу по направлению к коллекторному переходу. На коллектор относительно базы подается положительное напряжение, что соответствует обратному смещению коллекторного перехода. Достигшие коллекторного перехода электроны втягиваются его полем в область коллектора и образуют ток коллектора iк. Так как толщина базы мала, а концентрация дырок в ней невелика, то только небольшая часть электронов рекомбинирует (объединяется) с дырками базы; остальные электроны достигают коллекторного перехода. Рекомбинация электронов в базе вызывает соответствующий ток во внешней цепи — ток базы iб.

Между токами эмиттера, базы и коллектора существуют очевидные соотношения:

где α — коэффициент передачи тока эмиттера; он принимает, в зависимости от типа транзистора, значения в интервале от 0,95 до 0,99. Из приведенных соотношений получаем зависимость тока коллектора от тока базы:

(2)

Параметр (3)

называется коэффициентом передачи тока базы и составляет 20÷100. Говорят, что в транзисторе происходит усиление тока базы.

3.3. Вольтамперные характеристики биполярного
транзистора в схеме с общим эмиттером

Рис. 5. Включение транзистора по схеме с общим эмиттером

Рис. 6. Вольтамперные характеристики кремниевого n-р-n-транзистора КТ315. 1- uкэ =0, 2- uкэ = 5В

Свойства биполярного транзистора определяются семействами статических вольтамперных характеристик, которые выражают взаимосвязь его токов и напряжений. Вид этих характеристик зависит от схемы включения транзистора. Наиболее популярной является схема с общим эмиттером (рис. 5). Входными характеристиками является семейство iб = F(uбэ) при uкэ = const (рис. 6, a). Они подобны характеристикам полупроводникового диода. Выходные характеристики представляют семейство iк = F(uкэ) при

iб = const (рис. 6, б).

При малом uкэ, когда iб >0 (т.е. uбэ ≥ 0,6 В), коллекторный переход (как и эмиттерный) оказывается смещенным в прямом направлении, поэтому не все инжектированные в базу электроны попадают в область коллектора.

Транзистор работает здесь в режиме насыщения, так как увеличение тока базы не приводит к увеличению тока коллектора. Соответствующие этому режиму характеристики сливаются в линию Б. Далее с ростом uкэ ток коллектора iк сначала быстро растет, а затем почти не изменяется.

С увеличением тока базы, который является частью тока эмиттера, ток коллектора также возрастает, и статические характеристики смещаются вверх.

Транзистор работает здесь в активном режиме и выступает как регулятор тока. Следует отметить довольно высокую линейность связи коллекторного и базового токов, что проявляется в эквидистантном расположении пологих участков коллекторных характеристик. Наконец, при обратном смещении эмиттерного перехода (т.е. uбэ< 0,6 В) последний заперт, и через транзистор протекает неуправляемый (его называют сквозным) ток iкэс. Такой режим называется режимом отсечки тока. Характеристика iб = 0 (линия А) разделяет области активного режима и отсечки.

3.4. Описание транзистора h-параметрами и его
эквивалентная схема

Рис. 7. Транзистор как четырехполюсник

При анализе транзисторных схем в режиме малого сигнала транзистор удобно представлять в виде линейного четырехполюсника (рис. 7) и описывать связь токов и напряжений на входе и выходе четырьмя параметрами. Для описания транзисторов обычно используют удобные в измерении так называемые гибридные h-параметры; введем их.

Возьмем в качестве независимых переменных входной ток i1 и выходное напряжение u2. Тогда входное напряжение u1 и выходной ток i2 будут некоторыми нелинейными функциями выбранных независимых переменных:

При малых изменениях токов и напряжений приращения входного напряжения и выходного тока для активной области можно записать в виде

Здесь производные вычисляются для некоторых постоянных значений тока и напряжения I1,0, U2,0, которые характеризуют режим транзистора по постоянному току. Обозначим эти константы

Роль малых приращений могут играть малые переменные токи и напряжения с амплитудами I1, I2 и U1, U2. Тогда зависимость между переменными токами и напряжениями в транзисторе будет описываться системой линейных уравнений с h-параметрами:

(4а)

. (4б)

Согласно (4), параметр h11 является входным сопротивлением транзистора, а h21 — коэффициентом передачи тока при коротком замыкании выхода (U2 = 0); h22 — выходная проводимость, а h12 — коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе (I1 = 0). Параметр h21 равен α для схемы с общей базой и β — для схемы с общим эмиттером.

Рис. 8. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров

Конкретные значения h-параметров различаются для разных типов транзисторов, схем их включения и режима по постоянному току I1,0, U2,0; h-параметры могут быть также вычислены из статических вольт-амперных характеристик транзистора, если последние известны.

В соответствии с уравнениями (4) транзистор формально можно представить эквивалентной схемой, показанной на рис. 8. Генератор тока h21I1, в выходной цепи учитывает эффект усиления тока, а генератор h12U2 отражает наличие напряжения обратной связи во входной цепи.

Эквивалентная схема данного вида может использоваться для исследования транзисторных схем при малом гармоническом сигнале в широком диапазоне частот. В этом случае уравнения (4) записываются для комплексных амплитуд токов и напряжений, а сами h-параметры будут зависящими от частоты комплексными величинами. Для относительно низких частот h-параметры можно считать константами для выбранного режима транзистора по постоянному току. Например, для кремниевого n-р-n-транзистора КТ315Б при Iк0 = 1 мА, Uкэ0 = 10 В h-параметры в схеме с общим эмиттером обычно лежат в интервалах значений:

Статические характеристики биполярных транзисторов

В качестве статических характеристик БТ используются функциональные зависимости между токами и напряжениями, прикладываемыми к их электродам: входная характеристика I1 = f(U1) при U2 = const; характеристикаобратной связи U1=f(U2) при I1 = const; характеристика прямой передачи I2=f(I1) при U2 = const; выходнаяхарактеристика I2 = f(U2) при I1 = const.

Для определения параметров и расчета функциональных узлов достаточно иметь входные и выходные характеристики БТ в схемах с общей базой и общим эмиттером.

Для определенности и преемственности изложения будем рассматривать

p-n-p-транзистор.

Схема с общей базой

Семейство входных характеристик схемы с ОБ представляет собой зависимость IЭ = f(UЭБ) при фиксированных значениях параметра UКБ — напряжения на коллекторном переходе (рисунок 3.5, а).

При UКБ = 0 характеристика подобна ВАХ p-n-перехода. С ростом обратного напряжения UКБ(UКБ < 0 для p-n-p-транзистора) происходит уменьшение ширины базовой области (эффект Эрли). Это приводит смещение характеристики вверх: IЭ растет при выбранном значении UЭБ. Если поддерживается постоянным ток эмиттера (IЭ = const), т.е. градиент концентрации дырок в базовой области остается прежним, то необходимо понизить напряжение UЭБ, (характеристика сдвигается влево). Следует заметить, что при UКБ < 0 и UЭБ = 0 существует небольшой ток эмиттера IЭ0, обусловленный влиянием падения напряжения на сопротивлении базы при протекании через нее IКБО. Он становится равным нулю только при некотором обратном напряжении UЭБ0.

а) б)
Рис. 3.5. Характеристики БТ в схеме включения с ОБ: а) входные характеристики; б) выходные характеристики

Семейство выходных характеристик схемы с ОБ представляет собой зависимости IК = f(UКБ)при заданных значениях тока эмиттера IЭ (рисунок 3.5, б). Выходная характеристика p-n-p-транзистора при IЭ = 0 и обратном напряжении UКБ < 0 подобна обратной ветви p-n-перехода (диода). При этом в соответствии с (3.11) IК = IКБ0, т. е. характеристика представляет собой обратный ток коллекторного перехода, протекающий в цепи коллектор — база.

При IЭ > 0 основная часть инжектированных в базу носителей (дырок в

p-n-p-транзисторе) доходит до границы коллекторного перехода и создает коллекторный ток при UКБ = 0 в результате ускоряющего действия контактной разности потенциалов. Ток можно уменьшить до нуля путем подачи на коллекторный переход прямого напряжения определенной величины. Этот случай соответствует режиму насыщения, когда существуют встречные потоки инжектированных дырок в базу из эмиттера и коллектора. Результирующий ток станет равен нулю, когда оба тока будут одинаковы по величине (например, точка А на рисунке 3.5, б). Чем больше заданный ток IЭ, тем большее прямое напряжение UКБ требуется для получения IК = 0.

Область в первом квадранте на рисунке 3.5, б, где UКБ < 0 (обратное) и параметр IЭ > 0 (что означает прямое напряжение) соответствует активному режиму (АР). Значение коллекторного тока в АР определяется формулой (3.11) IК = aIЭ + IКБО. Выходные характеристики смещаются вверх при увеличении тока эмиттера IЭ. В идеализированном транзисторе не учитывается эффект Эрли (уменьшение ширины базовой области), поэтому интегральный коэффициент передачи тока a можно считать постоянным, не зависящим от значения |UКБ|. Следовательно, в идеализированном БТ выходные характеристики оказываются горизонтальными (IК = const). Реально же эффект Эрли при росте |UКБ| приводит к уменьшению потерь на рекомбинацию в базе и росту a. При этом незначительно увеличивается выходная проводимость. Так как значение a близко к единице, то относительное увеличение очень мало и может быть обнаружено только измерениями. Поэтому отклонение выходных характеристик от горизонтальных линий вверх «на глаз» не заметно (на рисунке 3.5, б масштаб не соблюдается).

Схема с общим эмиттером

Семейство входных характеристик схемы с ОЭ представляет собой зависимости IБ = f(UБЭ), причем заданным параметром является напряжение UКЭ (рисунок 3.6, а). Для p-n-p-транзистора отрицательное напряжение UБЭ (UБЭ<0) означает прямое включение эмиттерного перехода, так как (UЭБ=-UБЭ)>0.

Если при этом UКЭ = 0 (потенциалы коллектора и эмиттера одинаковы), то и коллекторный переход будет включен в прямом направлении: UКБ=UКЭ+UЭБ= = UЭБ > 0. Поэтому входная характеристика при UКЭ = 0 будет соответствовать режиму насыщения (РН), а ток базы будет равным сумме базовых токов из-за одновременной инжекции дырок из эмиттера и коллектора. Этот ток, естественно, увеличивается с ростом прямого напряжения UЭБ, так как оно приводит к усилению инжекции через оба перехода (UКБ = UЭБ) и соответствующему возрастанию потерь на рекомбинацию, определяющих базовый ток.

Вторая характеристика на рисунке 3.6, а (UКЭ < 0) относится к нормальному активному режиму, для получения которого напряжение UКЭ должно быть в p-n-p-транзисторе отрицательным и по модулю превышать напряжение UЭБ. В этом случае (UКБ = UКЭ + UЭБ = UКЭ — UБЭ) < 0.

а) б)
Рис.

3.6. Характеристики БТ в схеме включения с ОЭ: а) входные характеристики; б) выходные характеристики

Формально ход входной характеристики в активном режиме можно объяснить с помощью выражения (3.14) или (3.17): IБ =(1 — a)∙IЭ — IКБ0. При малом напряжении UБЭ инжекция носителей практически отсутствует (IЭ = 0) и ток IБ = -IКБ0, т.е. отрицателен. Увеличение прямого напряжения на эмиттерном переходе UЭБ = -UБЭ вызывает рост IЭ и величины (1 — a) IЭ. Когда (1 — a) IЭ = IКБ0, ток IБ = 0. При дальнейшем росте напряжения UБЭ > IКБ0и IБ меняет направление и становится положительным (IБ > 0) и сильно зависящим от напряжения перехода.

Влияние UКЭна IБ в активном режиме можно объяснить тем, что рост |UКЭ| означает рост |UКБ| и, следовательно, уменьшение ширины базовой области (эффект Эрли).

Последнее будет сопровождаться снижением потерь на рекомбинацию, т.е. уменьшением тока базы (смещение характеристики незначительно вниз).

Семейство выходных характеристик схемы с ОЭ представляет собой зависимости IК = f(UКЭ) при заданном параметре IБ (рисунке 3.6, б).

Крутые начальные участки характеристик относятся к режиму насыщения, а участки с малым наклоном — к нормальному активному режиму. Переход от первого режима ко второму, как уже отмечалось, происходит при значениях |UКЭ|, превышающих |UБЭ|. На характеристиках в качестве параметра берется не напряжение UБЭ, а входной ток IБ. Поэтому о включении эмиттерного перехода приходится судить по значению тока IБ, который связан с входной характеристикой (рисунок 3.16, а). Для увеличения IБ необходимо увеличивать |UБЭ|, следовательно, и граница между режимом насыщения и нормальным активным режимом должна сдвигаться в сторону больших значений.

Если параметр IБ = 0 («обрыв» базы), то в соответствии с (2.60) IК = IКЭ0 = (b + 1 ) IКБ0. В схеме с ОЭ можно получить (как и в схеме с ОБ) IК = IКБ0, если задать отрицательный ток IБ = -IКБ0. Выходная характеристика с параметром

IБ = -IКБ0 может быть принята за границу между активным режимом (АР) и режимом отсечки (РО). Однако часто за эту границу условно принимают характеристику с параметром IБ = 0.

Наклон выходных характеристик в нормальном активном режиме в схеме с общим эмиттером во много раз больше, чем в схеме с общей базой (h22Э » bh22Б) Объясняется это различным проявлением эффекта Эрли. В схеме с общим эмиттером увеличение UКЭ, а следовательно и UКБ, сопровождается уменьшением тока базы, а он по определению выходной характеристики должен быть неизменным. Для восстановления тока базы приходится регулировкой напряжения UБЭ увеличивать ток эмиттера, а это вызывает прирост тока коллектора DIК, т.е. увеличение выходной проводимости (в схеме с ОБ ток IЭ при снятии выходной характеристики поддерживается неизменным).

Влияние температуры на статические характеристикиБТ

Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным напряжения коллектор-база аналогично влиянию температуры на ВАХ полупроводникового диода. В нормальном активном режиме ток эмиттерного перехода можно представить формулой

. (3.23)

С ростом температуры тепловой ток IЭ0 растет быстрее, чем убывает экспонента из-за увеличения jТ = kT/q. В результате противоположного влияния двух факторов входные характеристики схемы с ОБ смещаются влево при выбранном токе IЭ на величину DU » (1…2) мВ/°С (рисунок 3.7, а).

а) б)
Рис. 3.7. Зависимость входных характеристик от температуры: а) для схем ОБ; б) для схем ОЭ

Начало входной характеристики в схеме с ОЭ определяется тепловым током коллекторного перехода IКБО который сильно зависит от температуры, так что начало характеристики при увеличении температуры опускается (рисунок 3.7, б). При больших значениях тока базы характеристики ведут себя по тем же причинам так же, как и в схеме с ОБ.

Влияние температуры на выходные характеристики схем с ОБ и ОЭ в АР удобно анализировать по формулам (3.11) и (3.22):

и .

Снятие выходных характеристик при различных температурах должно проводиться при поддержании постоянства параметров (IЭ = const в схеме с ОБ и IБ = const в схеме с ОЭ). Поэтому в схеме с ОБ при IЭ = const рост IК будет определяться только увеличением IКБО (рисунок 3.8, а).

Однако обычно IКБО значительно меньше aIЭ, изменение IК составляет доли процента и его можно не учитывать.

В схеме с ОЭ положение иное. Здесь параметром является IБ и его надо поддерживать неизменным при изменении температуры. Будем считать в первом приближении, что коэффициент передачи b не зависит от температуры. Постоянство произведения (b∙IБ) означает, что температурная зависимость IК будет определяться слагаемым (b + 1)IКБО. Ток IКБО(как тепловой ток перехода) примерно удваивается при увеличении температуры на 10°С, и при b >> 1 прирост тока (b + 1)IКБО может оказаться сравнимым с исходным значением коллекторного тока и даже превысить его.

а) б)
Рис. 3.8. Зависимость выходных характеристик БТ от температуры. а) для схем включения с ОБ; б) для схем включения ОЭ

На рис. 3.8, б показано большое смещение выходных характеристик вверх. Сильное влияние температуры на выходные характеристики в схеме с ОЭ может привести к потере работоспособности конкретных устройств, если не принять схемотехнические меры для стабилизации тока или термостатирование.

Математическая модель биполярного транзистора. Обозначение.

Вашему вниманию подборка материалов:

Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам

Биполярный транзистор имеет три вывода. Выводы называются: Эмиттер, Коллектор, База. Биполярный транзистор обладает следующим свойством, обуславливающим его применение. = h * . h — коэффициент передачи тока. С точки зрения инженера — схемотехника любой прибор, обладающий таким свойством, может называться транзистором вне зависимости от его внутреннего устройства.

Биполярный транзистор позволяет силой одного тока регулировать силу другого.

Пример правильной транзисторной схемотехники. Токовое управление.

Биполярный транзистор может быть устроен так, что ток втекает через базу или коллектор и вытекает через эмиттер, то есть на базу и коллектор подается положительное напряжение относительно эмиттера. Про такой транзистор говорят, что он имеет структуру NPN. У других биполярных транзисторов ток вытекает через базу или коллектор и втекает через эмиттер, то есть на базу и коллектор подается отрицательное напряжение относительно эмиттера. Про такой транзистор говорят, что он имеет структуру PNP.

На схемах биполярный транзистор обозначается, как показано на рисунке.

Реальные биполярные транзисторы. Классификация, виды, типы.

Если бы БТ на самом деле был идеальным, то нужен был бы всего один тип транзистора — ПИБТ (просто идеальный биполярный транзистор). Его можно было бы применять во всех схемах. В реальности все не так хорошо. Причем улучшение одних параметров транзистора, обычно приводит к ухудшению других. Именно этим обусловлено наличие большого разнообразия типов и видов транзисторов, так как для различных схем важны некоторые определенные параметры, но не важны другие, ими можно пожертвовать.

Реальный биполярный транзистор обладает коэффициентом передачи тока, зависящим от самого тока, температуры, частоты и еще ряда внешних параметров. Значения коэффициента передачи тока могут быть от 8 до 1000 и более.

Реальный БТ обладает индуктивностью выводов (как будто последовательно с выводами подключили маленькие катушки индуктивности) и емкостью между коллектором и эмиттером, коллектором и базой, базой и эмиттером. Эти параметры влияют на применимость БТ в высокочастотных схемах. В зависимости от них различают низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные биполярные транзисторы

Реальный БТ обладает внутренним сопротивлением (как будто последовательно с выводами подключили маленькие резисторы), ограниченными возможностями по рассеиванию тепла, которое неизбежно выделяется при работе прибора, некоторым конечным напряжением насыщения коллектор — эмиттер (если напряжение на коллекторе меньше, то ток через коллектор не пойдет, даже если в цепи базы ток есть). Напряжение насыщения коллектор — эмиттер — очень важный параметр, так как он влияет на потери и нагрев, когда транзистор работает в ключевом режиме, ведь потери мощности в ключевом режиме, когда транзистор открыт, как раз равны току коллектора умножить на напряжение насыщения коллектор — эмиттер. Таким образом, биполярные транзисторы подразделяются на маломощные, средней мощности и мощные. Кроме того, выделяют биполярные транзисторы — ключи, специально предназначенные для работы в режиме ключа.

Реальный БТ имеет ограничения сверху по напряжению коллектор — эмиттер. Превышение этого напряжения чревато пробоем и разрушением элемента. В зависимости от максимального напряжения коллектор — эмиттер биполярные транзисторы разделяют на низковольтные и высоковольтные.

Еще выделяют малошумящие и термостабильные биполярные транзисторы.

Особенности применения биполярных транзисторов в схемах

Главной бедой транзисторной схемотехники является то, что ей предшествовала ламповая. Большинство схематических решений, которые сейчас применяются, заимствованы из того периода и адаптированы под особенности транзисторов. Однако при всей своей кажущейся схожести, на самом деле электронная лампа и транзистор — приборы совершенно разные. У электронной лампы ток выходной цепи регулируется напряжением во входной, а у транзистора — током во входной цепи. Это отличие — принципиальное для схемотехники.

Попытка адаптировать решения для электронных ламп под транзисторы обычно сводит на нет все их преимущества. Получается на корове седло. Пересмотр многих схемных решений, создание именно транзисторных схем во многих областях еще ждет своего часа.

(читать дальше…) :: (в начало статьи)

Оглавление :: ПоискТехника безопасности :: Помощь

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!
Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Еще статьи

Проверка биполярного, полевого транзисторов, МОП, FET, MOSFET. Провери…
Как проверить исправность биполярного и полевого транзисторов. Методика испытани…

Транзисторный силовой ключ. Биполярный транзистор. Ключевой режим. Рас…
Биполярный транзистор в ключевом режиме. Схема. Расчет….

Применение полевых транзисторов, МОП, FET, MOSFET. Использование. Схем…
Типичные схемы с полевыми транзисторами. Применение МОП….

Практика проектирования электронных схем. Самоучитель электроники….
Искусство разработки устройств. Элементная база радиоэлектроники. Типовые схемы….

Транзисторы КТ503, 2Т503. Справочник, справочные данные, параметры, цо…
Характеристики и применение биполярных транзисторов КТ503 (КТ503А, КТ503Б, КТ503…

ШИМ, PWM контроллер. Схема. Микросхема. Принцип работы. Описание, выво…
ШИМ контроллер описание принципа работы….

Импульсный преобразователь, источник. Синус, синусоида, синусоидальное…
Импульсный силовой преобразователь напряжения в чисто синусоидальное. Принципиал…

Корпус РЭА, РЭУ своими руками. Самодельный. Электроника. Радиоэлектрон…
Изготовим корпус для своего электронного изделия…

Добавить комментарий

Закрыть меню